O semicondutor intrínseco apresentado no capítulo anterior não tem utilidade para aplicações em eletrônica, pois a quantidade de EBCs e LBVs é a mesma, existem, apenas, pares EBCLBV provenientes dos átomos de Silício ionizados, gerados por agentes externos que fornecem
energia (geração térmica) ao sistema, havendo neutralidade das cargas positivas (LBVs) e negativas (EBCs) total e ponto a ponto. O aumento da temperatura provoca um igual aumento nas
quantidades de portadores p e portadores n simultaneamente. O semicondutor intrínseco tem
sua condutividade bastante variável em função da temperatura e da luminosidade, o que faz dele
um sensor de temperatura ou luz. Como iiSi é baixo, sua condutividade também é baixa.
Para a aplicação na maioria dos dispositivos semicondutores, é necessário, durante a fabricação, adicionar impurezas para modificar convenientemente o comportamento do material semicondutor, ou seja, alterar as quantidades relativas de EBCs e LBVs, tornando estes valores diferentes, controle que não é possível no semicondutor intrínseco.
A palavra “impureza”, neste contexto, não se refere a átomos indesejáveis cuja inserção no
Silício se deve a imperfeições no processo de fabricação do dispositivo; neste caso, a palavra mais
usual é “contaminação”; fato que provoca alterações no comportamento do semicondutor, tornando seu comportamento imprevisível. A fabricação destes dispositivos requer o uso de “salas
limpas”, ambientes cuja qualidade do ar é controlada (temperatura, pressão, umidade, etc).
A essa adição de impurezas dá-se o nome de dopagem. O semicondutor dopado é chamado
de substrato ou semicondutor extrínseco ou semicondutor dopado. A terminologia “substrato” é
mais específica, esta palavra, em seu significado genérico, se aplica a uma base onde algo é construído; no contexto dos semicondutores, trata-se da lâmina sobre a qual os componentes elétricos integrados são construídos. Não se usa substratos feitos com semicondutor intrínseco, o processo de dopagem mais elementar é o do substrato.
No semicondutor intrínseco, o equilíbrio da quantidade de elétrons e lacunas é mantido
para qualquer temperatura; para cada EBC formado, é formada também uma LBC.
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Resposta:
Explicação:
O semicondutor intrínseco apresentado no capítulo anterior não tem utilidade para aplicações em eletrônica, pois a quantidade de EBCs e LBVs é a mesma, existem, apenas, pares EBCLBV provenientes dos átomos de Silício ionizados, gerados por agentes externos que fornecem
energia (geração térmica) ao sistema, havendo neutralidade das cargas positivas (LBVs) e negativas (EBCs) total e ponto a ponto. O aumento da temperatura provoca um igual aumento nas
quantidades de portadores p e portadores n simultaneamente. O semicondutor intrínseco tem
sua condutividade bastante variável em função da temperatura e da luminosidade, o que faz dele
um sensor de temperatura ou luz. Como iiSi é baixo, sua condutividade também é baixa.
Para a aplicação na maioria dos dispositivos semicondutores, é necessário, durante a fabricação, adicionar impurezas para modificar convenientemente o comportamento do material semicondutor, ou seja, alterar as quantidades relativas de EBCs e LBVs, tornando estes valores diferentes, controle que não é possível no semicondutor intrínseco.
A palavra “impureza”, neste contexto, não se refere a átomos indesejáveis cuja inserção no
Silício se deve a imperfeições no processo de fabricação do dispositivo; neste caso, a palavra mais
usual é “contaminação”; fato que provoca alterações no comportamento do semicondutor, tornando seu comportamento imprevisível. A fabricação destes dispositivos requer o uso de “salas
limpas”, ambientes cuja qualidade do ar é controlada (temperatura, pressão, umidade, etc).
A essa adição de impurezas dá-se o nome de dopagem. O semicondutor dopado é chamado
de substrato ou semicondutor extrínseco ou semicondutor dopado. A terminologia “substrato” é
mais específica, esta palavra, em seu significado genérico, se aplica a uma base onde algo é construído; no contexto dos semicondutores, trata-se da lâmina sobre a qual os componentes elétricos integrados são construídos. Não se usa substratos feitos com semicondutor intrínseco, o processo de dopagem mais elementar é o do substrato.
No semicondutor intrínseco, o equilíbrio da quantidade de elétrons e lacunas é mantido
para qualquer temperatura; para cada EBC formado, é formada também uma LBC.