O IGBT (transistor bipolar de porta isolada) é uma estrutura híbrida de MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor) e TBJ (transistor bipolar de junção) de potência. Ele possui características de ambos dispositivos, compensando as limitações do MOSFET e TBJ de forma eficiente.
Entre as opções abaixo, qual indica as principais vantagens do IGBT em relação
aos transistores TBJ e ao MOSFET, respectivamente:
a) É mais rápido e consome menos potência.
b) Opera com maior corrente e opera com mais tensão.
c) Opera com maior tensão e é mais rápido.
d) Consome menos potência e é mais rápido.
e) Opera com maior corrente e consome menos potência